不同的薄漠厚度對陰極電弧沉積AZO薄漠之光電特性

in National workshop (full text oral presentation), 國內研討會(全文口頭發表)
標題不同的薄漠厚度對陰極電弧沉積AZO薄漠之光電特性
出版類型國內研討會(全文口頭發表)
出版年度2010
AuthorsCHIN-MIN HSIUNG, 熊京民, & Ru-Yuan Yang 楊茹媛
會議名稱台灣真空學會2010會員大會暨論文發表會
出版日期Oct 29 2010 12:0
會議地點台中
其他編號0000
中文摘要

本研究係以陰極電弧電漿沉積(cathodic arc plasma deposition, CAPD)系統於玻璃基板沉積氧化鋅鋁(zinc oxide dopaned aluminum, AZO)薄膜,製程中以純金屬鋅(Zn)及鋁(Al)靶作為蒸鍍源,並以氧氣(oxygen, O2)及氬氣(argon, Ar)作為反應氣體及引弧氣體,本實驗將探討不同的薄膜厚度對CAPD於玻璃基板沉積AZO博膜之光電特性。本實驗將對剛沉積之AZO薄膜分別利用α-step、X-ray繞射分析儀、可見-紫外光光譜儀、四點探針量測分析薄膜的沉積速率、結晶方向、穿透率和導電性。實驗結果顯示,不同厚度的AZO薄膜皆具有(002)peak,且為多晶的纖鋅礦(wurtzite)結構,並於可見光範圍內(380~780 nm)之平均透光率約85 %,其光學能隙經由計算介於3.30~3.33 eV,AZO薄膜於厚度450 nm時擁有最佳電阻率4×10-3 Ω-cm。

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