本文以微波燒結法製備鍺酸鹽摻雜銪離子之螢光粉Y1-xInGe2O7:Eux (x=0.05, 0.3, 0.5,和0.7)，且以燒結溫度1200℃持溫60min製備而成。本文所製備之鍺酸鹽?雜銪離子之螢光粉分析分別為：利用SEM觀察螢光粉燒結後晶粒之表面形貌；利用X-Ray繞射觀察螢光粉燒結之晶體結構，並且使用光激螢光光譜儀，觀察螢光粉發光特性。其中，光激螢光光譜儀係以λex= 393 nm之激發光，分別在銪含量為x=0.05, 0.3 , 0.5 , 0.7的情況下，進行光譜分析。經由實驗結果得知，在617 nm與620 nm處具有明顯的放射光譜。