氬氣流量濺鍍氧化鋅摻雜鋁(AZO)對光電特性之影響

in International Symposium (oral presentation paper), 國際研討會(全文口頭發表)
標題氬氣流量濺鍍氧化鋅摻雜鋁(AZO)對光電特性之影響
出版類型國際研討會(全文口頭發表)
出版年度2011
AuthorsCHIN-MIN HSIUNG, 熊京民, & Ru-Yuan Yang 楊茹媛
會議名稱2011年奈米技術與材料研討會
出版日期Dec 16 2011 12:0
會議地點彰化
其他編號0000
中文摘要

氧化鋅摻雜鋁(Aluminum doped zinc oxide,AZO)薄膜具有良好導電性、高透明度、化學穩定性佳以及製作價格相對於錫氧化銦(Tin-doped indium oxide,ITO)便宜,且易於實現大面積鍍膜,在製作CIGS(Cupper Indium Gallium Selenium)太陽能電池當中,可望成為新一代透明導電膜之材料。本研究介紹採用磁控射頻濺鍍(RF Magnetron Sputtering)透明導電膜AZO(氧化鋅摻雜鋁)單層結構。濺鍍靶材為陶瓷靶材氧化鋅摻雜鋁(AZO)。探討氧化鋅摻雜鋁在不同的氬氣流量對光學和電學性能之影響。本實驗將對剛沉積之AZO薄膜分別利用??-step、X-ray繞射分析儀、可見-紫外光光譜儀、霍爾量測儀、四點探針儀分析薄膜的沉積速率、結晶方向、穿透率、遷移率、載子濃度和導電性。實驗結果顯示,不同氬氣流量的AZO薄膜皆具有(002)peak,且為多晶的纖鋅礦(wurtzite)結構,在氬流量為30 sccm時,可見光範圍內(380 ~ 780 nm)之平均透光率約96.4 %,其最佳電阻率為9.45 × 10-4 ??-cm,遷移率為3.24 cm2/V-s以及載子濃度2.74 × 1020 cm-3。

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