溫度幅度變化對覆晶封裝溫度循環測試之影響

in National workshop (full text oral presentation), 國內研討會(全文口頭發表)
標題溫度幅度變化對覆晶封裝溫度循環測試之影響
出版類型國內研討會(全文口頭發表)
出版年度2004
AuthorsChi-Hui Chien, 錢志回, 陳宗輝, Yung-Chang Chen 陳永昌, Chi-Chang Hsieh 謝其昌, & Yii-Der Wu 吳以德
會議名稱中華民國力學學會第二十八屆全國力學會議
出版日期Dec 1 2004 12:0
會議地點台北
其他編號0000
中文摘要

隨著近幾年半導體產業的發達,許多的元件都逐漸以小尺寸為結構,由於尺寸的縮小相對的造成線路密集化及線路直徑細小化,細小化的結果產生了許多問題如電磁干擾、高溫、熱應力等,因此半導體產品產生失效的機率隨之提升。在半導體產品中最常見的損害方式是經由熱疲勞所引起的破壞,熱疲勞是由反覆的溫度變化所引起的熱應力集中而造成疲勞效應。一般對於半導體產品的疲勞量測大都是以反覆的溫度循環實驗去造成破壞,由於溫度循環實驗有著時間過長的缺點。因此本文則以有限元素套裝軟體來加以模擬分析,使用不同的溫度幅度變化於溫度循環中,探討錫鉛凸塊於不同溫度負載條件下的塑性變化,以及不同溫度負載和等效塑性應變增量之關係,由等效塑性應變增量經Coffin-Manson關係式可以預測出錫鉛凸塊的疲勞壽命,以期由不同溫度負載和等效塑性應變增量之關係式能適當的加快疲勞測試速度。

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